PMN-PT-substrat
Beskrivning
PMN-PT-kristall är känd för sin extremt höga elektromekaniska kopplingskoefficient, höga piezoelektriska koefficient, höga töjning och låga dielektriska förluster.
Egenskaper
| Kemisk sammansättning | (PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Strukturera | R3m, Rhombohedral |
| Gitter | a0 ~ 4,024Å |
| Smältpunkt (℃) | 1280 |
| Densitet (g/cm3) | 8.1 |
| Piezoelektrisk koefficient d33 | >2000 pC/N |
| Dielektrisk förlust | tand<0,9 |
| Sammansättning | nära den morfotropiska fasgränsen |
PMN-PT Substrat Definition
PMN-PT-substrat hänvisar till en tunn film eller wafer gjord av piezoelektriskt material PMN-PT.Den fungerar som en stödjande bas eller grund för olika elektroniska eller optoelektroniska enheter.
I samband med PMN-PT är ett substrat typiskt en plan stel yta på vilken tunna lager eller strukturer kan odlas eller avsättas.PMN-PT-substrat används vanligtvis för att tillverka enheter såsom piezoelektriska sensorer, ställdon, omvandlare och energiskördare.
Dessa substrat ger en stabil plattform för tillväxt eller avsättning av ytterligare skikt eller strukturer, vilket gör att de piezoelektriska egenskaperna hos PMN-PT kan integreras i enheter.Tunnfilms- eller waferform av PMN-PT-substrat kan skapa kompakta och effektiva enheter som drar nytta av materialets utmärkta piezoelektriska egenskaper.
Relaterade produkter
Hög gittermatchning hänvisar till anpassning eller matchning av gitterstrukturer mellan två olika material.I samband med MCT-halvledare (kvicksilverkadmiumtellurid) är hög gittermatchning önskvärd eftersom det tillåter tillväxt av högkvalitativa, defektfria epitaxiella skikt.
MCT är ett sammansatt halvledarmaterial som vanligtvis används i infraröda detektorer och avbildningsenheter.För att maximera enhetens prestanda är det viktigt att odla MCT epitaxiella lager som nära matchar gitterstrukturen hos det underliggande substratmaterialet (vanligtvis CdZnTe eller GaAs).
Genom att uppnå hög gittermatchning förbättras kristallinriktningen mellan skikten, och defekterna och spänningen vid gränssnittet reduceras.Detta leder till bättre kristallin kvalitet, förbättrade elektriska och optiska egenskaper och förbättrad enhetsprestanda.
Hög gittermatchning är viktig för applikationer som infraröd avbildning och avkänning, där även små defekter eller brister kan försämra enhetens prestanda, vilket påverkar faktorer som känslighet, rumslig upplösning och signal-brusförhållande.
